InGaN/GaN多量子阱的PL譜和EL譜測試

● 樣品提供：KingAbdullahUniversity ofScience and Technology提供的基於藍寶石襯底MOCVD 生長的 InGaNGaN 量子阱

● 測試條件：325nm激發，功率30mW

● 石榴视频APP免费下载範圍：340-700nm